IXYS品牌整流二极管M0225YH300
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 进口 | |
| 型号/规格： | M0225YH300 | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | M0225YH300 |
| 产品类型 | 整流管 | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 金属封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 红色 |
| LED封装 | 加色散射封装(D) | 出光面特征 | 圆灯 |
| 发光强度角分布 | 高指向性 | 正向直流电流IF | 1（A） |
| 反向电压 | 1（V） |
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产品简介：
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。
作用原理：
肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。
典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。
功能应用：
综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。
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IR牌IGBT-IRG4BC20SD
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRG4BC20SD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 50000（mW） 原理定义： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, ...
英飞凌IGBT-IHW30N60T
信息内容：品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 TRENCHSTOP? 2-20kHz 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 5（V） 夹断电压 5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 5（dB） 漏极电流 5（mA） 耗散功率 550000（mW） 本公司只经营原装进口物料，请放心订购！由于库存型号种类太多，查库存及详细资料请联系销售代表！原理定义： IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅...
