品牌/商标 | ON安森美 | 型号/规格 | MBR2545CTG |
产品类型 | 整流管 | 结构 | 点接触型 |
材料 | 锗(Ge) | 封装形式 | 直插型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 高频 | 发光颜色 | 红色 |
LED封装 | 无色透明封装(T) | 出光面特征 | 方形 |
发光强度角分布 | 标准型 | 正向直流电流IF | 30(A) |
反向电压 | 45(V) |
MBR2535CT, MBR2545CT |
TO-220AB Pkg |
TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO |
50 |
分离式半导体产品 |
二极管,整流器 - 阵列 |
SWITCHMODE™ |
820mV @ 30A |
200µA @ 45V |
30A |
45V |
- |
肖特基 |
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
1 对共阴极 |
通孔,径向 |
TO-220-3 (直引线) |
管件 |
* |
1413 (CN091-10 PDF) |
MBR2545CTGOS |
品牌/商标 AO 型号/规格 AO4459 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 HA/行输出级 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 10(V) 低频跨导 25(μS) 极间电容 25(pF) 低频噪声系数 25(dB) 漏极电流 6.5A(mA) 耗散功率 3100(mW)
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFD9120PBF 批号 2010+ 封装 DIP-4 营销方式 厂家直销 产品性质 新品 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 小规模 规格尺寸 3.2(mm) 工作温度 -40~125(℃) 静态功耗 250(mW) 类型 其他IC 数据列表IRFD9120产品相片4-DIP Pkg产品目录绘图IR(F,L)D Series TopIR(F,L)D Series Side 1IR(F,L)D Series Side 2标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C600 毫欧 @ 600mA, 10V漏极至源极电压...