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场效应管-电子元器件-STPS3045CW/TO-3P

价 格: 1.00
品牌:ST意法半导体
型号:STPS3045CW

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STPS3045CW
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 500(V) 夹断电压 500(V)
极间电容 2600(pF) 低频噪声系数 0.001(dB)
漏极电流 0.5(mA) 耗散功率 1900(mW)

供应场效应管-电子元器件-STPS3045CW

销售纺织电子元器件,有意者欢迎来电咨询、洽谈!价格从优!13922378085李生,QQ:317636129





















李智
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 广州
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  • 联系人: 李智
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信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF830 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 2600(pF) 低频噪声系数 0.001(dB) 漏极电流 0.5(mA) 耗散功率 1900(mW) 供应场效应管-电子元器件-IRF830销售纺织电子元器件,有意者欢迎来电咨询、洽谈!价格从优!13922378085李生,QQ:317636129

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广州励志电子-供应场效应管-电子元器件-IRF740S拆机件

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF740S 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 TR/激励、驱动 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 2600(pF) 低频噪声系数 0.001(dB) 漏极电流 0.5(mA) 耗散功率 1900(mW) 供应场效应管-电子元器件-IRF740销售纺织电子元器件,有意者欢迎来电咨询、洽谈!价格从优!13922378085李生,QQ:317636129

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