品牌/商标 | 东光 | 型号/规格 | 8N60 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 2(V) | 夹断电压 | 650(V) |
跨导 | 4000(μS) | 极间电容 | 965(pF) |
低频噪声系数 | 23(dB) | 漏极电流 | 750(mA) |
耗散功率 | 147000(mW) |
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产品参数 T=25
Characteristics(参数) | Symbol(符号) | Value(额定值) | Units(单位) |
漏源反向击穿电压 | BV dss | 600 | V |
连续漏极电流 | I d | 8 | A |
栅源电压 | V gs | ±30 | V |
雪崩能量 | E as | 160 | mJ |
耗散功率 | P d | 130 | W |
储存温度 | T stg | -55~150 | ℃ |
热阻(结到壳) | R jc | 0.85 | ℃/W |
正向压降 | V sd | 1.4 | V |
品牌/商标 MIC 型号/规格 1N5822 产品类型 肖特基管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 金属封装 功率特性 小功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 圆灯 发光强度角分布 标准型 正向直流电流IF 3(A) 反向电压 50(V)
产品类型 肖特基管 品牌/商标 长电 型号/规格 B5819W 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 低频 发光颜色 其他 LED封装 其他 出光面特征 其他 发光强度角分布 其他 反向电压VR 40(V) 正向直流电流IF 1(A) Maximum Ratings and Electrical Characteristics, Single Diode @TA=25℃Parameter Symbol B5817W B5818W B5819W UnitNon-Repetitive Peak reverse voltage VRM 20 30 40 VPeak repetitive Peak reverse voltageWorking Peak Reverse Vo...