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场效应管8N60 DG8N60 TO-220 原装

价 格: 1.75
品牌:东光
型号:8N60

品牌/商标 东光 型号/规格 8N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 2(V) 夹断电压 650(V)
跨导 4000(μS) 极间电容 965(pF)
低频噪声系数 23(dB) 漏极电流 750(mA)
耗散功率 147000(mW)

原厂直销,价格优惠,质量保证!

产品参数 T=25

 

Characteristics(参数)Symbol(符号)Value(额定值)Units(单位)
漏源反向击穿电压BV dss600V
连续漏极电流I d8A
栅源电压V gs±30V
雪崩能量E as160mJ
耗散功率P d130W
储存温度T stg-55~150
热阻(结到壳)R jc0.85℃/W
正向压降V sd1.4V

周善朗
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 周善朗
  • 电话:0769-89001930
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