现货供应6A 600V场效应MOS管2SK1118
| 价 格： | 1.40 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK1118 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK1118 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2（V） | 夹断电压 | 600（V） |
| 极间电容 | 2000（pF） | 漏极电流 | 6A（mA） |
| 耗散功率 | 50（mW） |
本商行同时供应以下6A 600V场效应MOS系列
6N60
K1117
K2141
K2333
K2544
K2545
K3115
K3562
- 所属城市：广东 汕头
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- 联系人： 苏春湖
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8.5A 400V 40W场效应管K2952
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 K2952 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 40（V） 夹断电压 400（V） 低频跨导 2651（μS） 极间电容 26（pF） 低频噪声系数 17（dB） 漏极电流 8.5（mA） 耗散功率 40（mW） K2952 ：8.5A 400V <0.55Ω 40W
K2843 K2996 K3569 K10A60D
信息内容：品牌/商标 东芝，富士通 型号/规格 K2843 K2996 K3569 K10A60D 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 22（μS） 极间电容 2222（pF） 低频噪声系数 22（dB） 漏极电流 10A（mA） 耗散功率 100（mW） K1507K2645K2761K2843K2996K3569K10A60D10N6011N60
