SI4431DY(P沟道MOSFET的逻辑电平的PowerTrench
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | VISHAY | |
| 型号： | SI4431DY |
| 品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI4431DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | *（V） | 夹断电压 | *（V） |
| 跨导 | *（μS） | 极间电容 | 114（pF） |
| 低频噪声系数 | *（dB） | 漏极电流 | -63m（mA） |
| 耗散功率 | 250（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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带阻三极管 PDTC124ET
信息内容：品牌/商标 PHILIPS飞利浦 型号/规格 PDTC124ET 应用范围 带阻尼 材料 硅(Si) 极性 NPN型 集电极允许电流ICM 100m（A） 集电极耗散功率PCM 250m（W） 截止频率fT *（MHz） 结构 平面型 封装形式 SOT23 封装材料 塑料封装
变容二极管BBY58-02W 的线性 高Q超突变调谐
信息内容：产品类型 变容管 品牌/商标 Infineon英飞凌 型号/规格 BBY58-02W 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 变频 发光颜色 * LED封装 无色透明封装(T) 出光面特征 方形 反向电压VR 10（V） 正向直流电流IF 20（A）
