US1A-US1M二极管，快恢复二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | 国产 | |
| 型号/规格： | US1A-US1M | |
| 封装形式： | 贴片型 | |
| 功率特性： | 小功率 | |
| 频率特性： | 中频 |
| 产品类型 | 快恢复二极管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | US1A-US1M | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 中频 | 发光颜色 | 其他 |
| LED封装 | 有色散射(D) | 出光面特征 | 其他 |
| 反向电压VR | 1000（V） | 正向直流电流IF | 1000（A） |
- 所属城市：广东 东莞
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GN2310/SI2310/ ME2310，N沟场效应管(5.8A)
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2310 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
低价销售 GV2301P沟场效应管 SOT-23 封装 2.8A MOS管
信息内容：品牌/商标 台湾进口 型号/规格 GV2301 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CHIP/小型片状 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 极间电容 11（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 100（mW） 厂家直销GV2301,价格,品质稳定,常年备有大量库存,欢迎各生产厂家和被动元件经销商订购!描述:2301系列P沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻.2301适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他...
