RHRG30120结型场效应管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | RHRG30120 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | RHRG30120 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | SIT静电感应 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
仙童 MOS IGBT 场效应管
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- 所属城市：广东 深圳
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现货热销ISL9R3060G2增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 仙童 飞兆 Fairchild FSC 型号/规格 ISL9R3060G2 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
现货热销150EBU04系列产品 增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR 国际半导体 型号/规格 150EBU04 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SIT静电感应 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 原装飞捷电子是的功率器件分销商，致力于全面推广IR国际整流器件,国半,罗姆,INTERSIL,三菱电机,安森美,英飞凌，意法半导体,FUJI，仙童等国际知名品牌功率器件, 主要经营IGBT模块，整流二极管模...
