IRF9530PB结型场效应管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR 国际半导体 | |
| 型号： | IRF9530PBF |
| 品牌/商标 | IR 国际半导体 | 型号/规格 | IRF9530PBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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特价热销IRFBC40PBF MOS 场效应管
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFBC40PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SIT静电感应 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
FFH50US60S结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FFH50US60S 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SIT静电感应 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
