2SK3568增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | TOS日本东芝 | |
| 型号： | 2SK3568 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | 2SK3568 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 500（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 低频跨导 | 5（μS） | 极间电容 | 12（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | 漏极电流 | 12A（mA） |
| 耗散功率 | 40W（mW） |
| 2SK3568 |
| 2SK3568(Q) |
| TO-220SIS Side 3 TO-220SIS Side 2 TO-220SIS Side 1 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 520 毫欧 @ 6A, 10V |
| 500V |
| 12A |
| 4V @ 1mA |
| 42nC @ 10V |
| 1500pF @ 25V |
| 40W |
| 通孔 |
| 2-10U1B |
| 管件 |
| TO-220SIS |
| 2SK3568(Q) 2SK3568Q 2SK3568Q-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP25NM60N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 4（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 020（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 21a（mA） 耗散功率 160w（mW）
