品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP4468PBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | LMP-C/阻抗变换 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 100(V) | 夹断电压 | -(V) |
跨导 | -(μS) | 极间电容 | -(pF) |
低频噪声系数 | -(dB) | 漏极电流 | 290000(mA) |
耗散功率 | 520000(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4310PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 100(V) 漏极电流 130000(mA) 耗散功率 300000(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55(V) 漏极电流 110000(mA) 耗散功率 200000(mW)