原装进口场效应管IRFP90N20DPBF
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFP90N20DPBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFP90N20DPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HA/行输出级 |
| 封装外形 | LLCC/无引线陶瓷片载 | 材料 | HEMT高电子迁移率 |
| 开启电压 | 200（V） | 夹断电压 | -（V） |
| 跨导 | -（μS） | 极间电容 | -（pF） |
| 低频噪声系数 | -（dB） | 漏极电流 | 94000（mA） |
| 耗散功率 | 580000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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原装进口场效应管IRF9540NPBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9540NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 GEP/互补类型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -100（V） 夹断电压 -（V） 跨导 -（μS） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 23000（mA） 耗散功率 140000（mW）
原装进口场效应管IRF9530NPBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF9530NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HI-IMP/高输入阻抗 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 -100（V） 夹断电压 -（V） 跨导 -（μS） 极间电容 -（pF） 低频噪声系数 -（dB） 漏极电流 -14000（mA） 耗散功率 79000（mW）
