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现货特价供应原包装FZT655,结型场效应管N沟道

价 格: 面议
品牌:ZET英国XETEX
型号:FZT655

品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 FZT655
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 150(V) 夹断电压 150(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 2000(mW)

标准包装类别家庭系列晶体管类型电流 - 集电极 (Ic)()电压 - 集电极发射极击穿()Ib、Ic条件下的Vce饱和度()电流 - 集电极截止()在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)功率 - 频率 - 转换安装类型封装/外壳包装
1,000
分离式半导体产品
晶体管(BJT) - 单路
-
NPN
1A
150V
500mV @ 200mA, 1A
-
50 @ 500mA, 5V
2W
30MHz
表面贴装
SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261
带卷 (TR)

深圳市长亮源科技有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 古苏波
  • 电话:755-88878818
  • 传真:755-88878818
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FZT458 现货热卖

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品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 FZT458 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()300mA电压 - 集电极发射极击穿()400VIb、Ic条件下的Vce饱和度()500mV @ 6mA, 50mA电流 - 集电极...

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ZETEX-ZVN4206G-MOSFET N型

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品牌/商标 ZETEX 型号/规格 ZVN4206G 封装 SOT-223 晶体管类型:MOSFET Voltage, Vds Typ:60V 电流, Id 连续:1A 开态电阻, Rds(on):1.5ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V Voltage, Vgs th Typ:3V 封装类型:SOT-223 SMD标记:ZVN4206 Transistors, No. of:1 Voltage, Vgs th Max:3V 功率, Pd:2W 功耗:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管极性:N沟道 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vds :60V 电流, Idm 脉冲:8A 表面安装器件:表面安装

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