品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | FZT655 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 150(V) | 夹断电压 | 150(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 2000(mW) |
1,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
NPN |
1A |
150V |
500mV @ 200mA, 1A |
- |
50 @ 500mA, 5V |
2W |
30MHz |
表面贴装 |
SOT-223 (3 引线 + 接片), SC-73, TO-261 |
带卷 (TR) |
品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 FZT458 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) 标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()300mA电压 - 集电极发射极击穿()400VIb、Ic条件下的Vce饱和度()500mV @ 6mA, 50mA电流 - 集电极...
品牌/商标 ZETEX 型号/规格 ZVN4206G 封装 SOT-223 晶体管类型:MOSFET Voltage, Vds Typ:60V 电流, Id 连续:1A 开态电阻, Rds(on):1.5ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V Voltage, Vgs th Typ:3V 封装类型:SOT-223 SMD标记:ZVN4206 Transistors, No. of:1 Voltage, Vgs th Max:3V 功率, Pd:2W 功耗:2W 外宽:6.7mm 外部深度:7.3mm 外部长度/高度:1.7mm 带子宽度:12mm 总功率, Ptot:2W 晶体管极性:N沟道 温度 @ 电流测量:25°C 满功率温度:25°C 电压, Vds :60V 电流, Idm 脉冲:8A 表面安装器件:表面安装