品牌/商标 | 东芝 | 型号/规格 | 2SK2962 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | NF/音频(低频) |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
开启电压 | 00(V) | 夹断电压 | 00(V) |
低频跨导 | 00(μS) | 极间电容 | 00(pF) |
低频噪声系数 | 00(dB) | 漏极电流 | 00(mA) |
耗散功率 | 00(mW) |
部件型号 | 2SK2962 | |
极性 | N沟 | |
漏源电压VDSS | 100 V | |
漏电流ID | 1 A | |
漏功耗PD | 900 mW | |
门电荷总数Qg(nC) (标准) | 6.3 | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=4V | 0.95 Ω | |
漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V | 0.7 Ω | |
封装 | TO-92MOD | |
产品分类 | 功率MOSFET (N沟 60V<VDSS≦150V) | |
装配基础 | 日本, 马来西亚 |
品牌/商标 东芝TOSHIBA 型号/规格 TMP87PH46NG 封装 SDIP42 批号 10 类型 单片机
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK3569 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 部件型号2SK3569 极性N沟 漏源电压VDSS600 V 漏电流ID10 A 漏功耗PD45 W 门电荷总数Qg(nC) (标准)42 漏源导通电阻RDS(ON)() @VGS=10V0.75 Ω 封装TO-220SIS 产品分类功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V) 装配基础日本, 马来西亚