BT136-600E BT137-600E BT136 可控硅 NXP原装 TO-220
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | NXP | |
| 型号： | BT136-600E |
| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | BT136-600E |
| 封装 | TO-220 | 批号 | 2011+ |
| 类型 | 电源模块 | 输入电压 | 3-90（V） |
| 输出电压 | 12（V） | 功率 | 75（W） |
- 所属城市：广东 深圳
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电子元器件 SN74HC245N 74HC245 NXP TI ST DIP 74HC245D SO
信息内容：品牌/商标 TI 型号/规格 SN74HC245N 批号 2010+ 封装 DIP-20 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 中规模 规格尺寸 3.99（mm） 工作温度 -40~125（℃） 静态功耗 10（mW） 类型 逻辑IC 数据列表SN54HC245, SN74HC245产品相片20-DIP Pkg标准包装20类别集成电路 (IC)家庭逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器系列74HC逻辑类型收发器，非反相元件数1每个元件的位元数8输出电流高，低7.8mA, 7.8mA电源电压2 V ~ 6 V工作温度-40°C ~ 85°C安装类型通孔封装/外壳20-DIP (0.300", 7.6...
IRG4PC40WPBF 原装 IGBT 现货
信息内容：品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRG4PC40WPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 15（V） 低频跨导 25（μS） 极间电容 25（pF） 低频噪声系数 25（dB） 漏极电流 40A（mA） 耗散功率 160W（mW） 数据列表IRG4PC40WPbF产品相片TO-247AC Pkg产品目录绘图IRG Series CircuitIR Transistor TO-247AC标准包装25类别分离式半导体产品家庭IGBT - 单路系列-电压 - 集电极发射极击穿（）...
