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英飞凌IGBT IHW30N90T(图)

价 格: 面议
品牌:INFINEON/英飞凌
型号:H30T90

品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 H30T90
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 D/变频换流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极

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拆机三极管场效应IGBT

信息内容:

品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRFPF50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量保证,货源充足. 国际整流IR公司MOS场效应部分型号如下IRF530.IRF540.IRF630.IRF640.IRF730.IRF740.IRF830.IRF840.IRF1010E.IRF1404.IRF2807.IRF3007.IRF3205IRF9510.IRF9520.IRF9530.IRF9540.IRF9610.IRF9620.IRF9630.IRF9640.IRF5305.IRF4905.IRF6215.6218等等应用范围:电磁炉、变频器、逆变器、UPS电源、开关电源、电机控制、变焊机、电焊机、工业传动装置、电梯或辅助传动设备、机车与列车用电源、电能表、HID照明 功放/舞台设备 整流器/节能灯等各种产品上。

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拆机场效应2SK956 2SK962(图)

信息内容:

品牌/商标 FJD日本富士电机 型号/规格 2SK956 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道

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