品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFZ48NPBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
开启电压 | 55(V) | 夹断电压 | -(V) |
跨导 | -(μS) | 极间电容 | -(pF) |
低频噪声系数 | -(dB) | 漏极电流 | 64000(mA) |
耗散功率 | 130000(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF510PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 100(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 5600(mA) 耗散功率 43000(mW)
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF740PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIX/混频 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 40000(mA) 耗散功率 125000(mW)