价 格: | 面议 | |
品牌: | IR美国国际整流器公司 | |
型号: | IRF840PBF |
品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF840PBF |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DUAL/配对管 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 500(V) | 夹断电压 | 10(V) |
跨导 | 63(μS) | 极间电容 | 9.3(pF) |
低频噪声系数 | 32(dB) | 漏极电流 | 8000(mA) |
耗散功率 | 125000(mW) |
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRFP264PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-TPBM/三相桥 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 -(mA) 耗散功率 -(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP150NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 55(V) 夹断电压 -(V) 跨导 -(μS) 极间电容 -(pF) 低频噪声系数 -(dB) 漏极电流 110000(mA) 耗散功率 200000(mW)