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场效应管20N60C3,结型场效应管N沟道

价 格: 面议
品牌:英飞凌
型号:20N60C3

品牌/商标 英飞凌 型号/规格 20N60C3
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 1200(V) 夹断电压 1200(V)
跨导 10(μS) 极间电容 50(pF)

INFINEON英飞凌原装COOLMOS产地:德国

SPA20N60C3   TO-220F

英飞凌原装批发SPP20N60C3    TO-220

SPP20N60C3  TO-220相关介绍

SPP20N60C3    VDS/600V;  RDS0.19Ω;   /D/20.7A;  208W;

Marking:20N60C3

英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术,这是一种全球的工艺技术,而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术;离子注入技术与热扩散技术相比,其优点在于,离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度,精度极高,制造的器件有一个重要特点就是一致性特别好,而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高,所以器件的一致性不如离子注入技术。

我公司主营产品:IGBT单管,IGBT模块,可控硅,场效应(MOS)管,快恢复二极管,电源IC,光耦等,是的高性价比电子元件供应商。专向电焊机,焊接设备,开关电源,变频器,控制器,逆变器,照明,工防等行业提供快捷,全方位,贴心的服务。欢迎厂家的朋友来电合作。

 

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