品牌/商标 | cj | 型号/规格 | BC817W |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 低频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | SOT-323 | 封装材料 | 塑料封装 |
截止频率fT | 100(MHz) | 集电极允许电流ICM | 0.5(A) |
集电极耗散功率PCM | 0.2(W) | 营销方式 | 厂家直销 |
产品性质 | 热销 |
原装,深圳优质供应商
参数符号 | 数值 | 单位 |
Symbol | Rating | Unit |
VCBO | 50 | V |
VCEO | 45 | V |
VEBO | 5.0 | V |
IC | 500 | mA |
ICM | 1.0 | A |
PC | 200 | mW |
Tj | 150 | ℃ |
Tstg | -55~150 | ℃ |
数值 | |||||||
参数符号 | 测试条件 | Rating | 单位 Unit | ||||
Symbol | Test condition | 最小值 | 典型值 | 值 | |||
Min | Typ | Max | |||||
ICBO | VCB=20V | IE=0 | 5.0 | μA | |||
IEBO | VEB=5.0V | IC=0 | 0.1 | μA | |||
hFE | VCE=1.0V | IC=100mA | 100 | 600 | |||
VCE(sat) | IC=500mA | IB=50mA | 0.7 | V | |||
VBE | VCE=1.0V | IC=500mA | 1.2 | V | |||
fT | VCE=5V | IC=10mA | f=100MHz | 100 | MHz | ||
CC | VCB=10V | IE=ie=0 | f=1.0MHz | 5.0 | pF |
品牌/商标 国产 长电 型号/规格 SI2301DS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 -0.4(V) 夹断电压 20(V) 跨导 36000(μS) 极间电容 223(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 8000(mA) 耗散功率 1.25(mW)
品牌/商标 SEP,DACO,HY 型号/规格 DB104S 应用范围 普通工业 整流元件 半桥 功率特性 中功率 频率特性 低频 交流输入电压 400(V) 直流输出电压 400(V) 直流输出电流 1(A) 正向峰值电压 400(V) 反向重复峰值电压 400(V) 反向重复峰值电流 1000(mA) 绝缘电压 1(V) 工作结温 -55-150(℃) 效率 100(%)