价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | Mitsubishi三菱 | |
型号/规格: | RT1N141U-T111-1 | |
极性: | NPN型 | |
封装形式: | 贴片型 |
品牌/商标 | Mitsubishi三菱 | 型号/规格 | RT1N141U-T111-1 |
应用范围 | 开关 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 50(V) |
集电极允许电流ICM | 0.2(A) | 集电极耗散功率PCM | 1.25(W) |
截止频率fT | 200(MHz) | 结构 | 外延型 |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
品牌/商标 Diodes 型号/规格 DDTC114EUA-7-F 应用范围 带阻尼 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO *(V) 集电极允许电流ICM 100m(A) 集电极耗散功率PCM 200m(W) 截止频率fT *(MHz) 结构 平面型 封装形式 SOT-323 封装材料 塑料封装 丝印:N13特点 外延平面模具结构·互补进步党类型可用(DDTA)·内置偏置电阻中,R1=R2=10K欧 深圳峻能达电子有限公司成立于2000年,是一家具有丰富经营经验,代理、分销国内外知名品牌电子元器件的公司, 本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态度”,常年备有大量全新原装现货和良好的进货渠道,品种齐全,具有较强的能...
品牌/商标 ON 型号/规格 NTHD4102PT1G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 耗尽型 用途 MIN/微型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 8(V) 跨导 300(μS) 极间电容 45(pF) 低频噪声系数 *(dB) 漏极电流 4100(mA) 耗散功率 1100(mW) 深圳峻能达电子有限公司成立于2000年,是一家具有丰富经营经验,代理、分销国内外知名品牌电子元器件的公司,本公司以“优越的产品质量、优惠的价格、稳定的货源、真诚的服务态...