品牌/商标 | 村田MURATA | 型号/规格 | PVZ2R473C04ROO |
种类 | 压敏 | 性能 | 可调 |
材料 | 合金 | 制作工艺 | 陶瓷绝缘功率型 |
外形 | 平面片状 | 标称阻值 | 47K |
额定功率 | 0.5(W) | 调节方式 | 微调 |
功率特性 | 小功率 | 频率特性 | 低频 |
营销方式 | 厂家直销 | 产品性质 | 热销 |
香港義誠實業有限公司 專業經銷批發二三極管、電解電容、於公元2003年十一月廿六日成立於香港九龍旺角,為了便於在大陸銷售,於2004年3月份在深圳市寶安區光明新區設立分銷點,於2005年08月份在東莞市長安鎮設立銷售部,我司已成為專業半導體元器件的經銷批發電子企業。所有產品全符合《RoHS》指令。
公司一貫堅持求實創新,用戶至上的原則。牢固樹立“以質量求生存”思想,“以誠信為本,以質為生存,服務至上”作為本司的發展方向及經營方針。良好的售後服務贏得新老客戶的青睞。
公司的宗旨:品質,信譽至上,永續經營。
品牌/商标 NXP恩智浦 型号/规格 BC807-40 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 中频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 80(MHz) 集电极允许电流ICM 500m(A) 集电极耗散功率PCM 250m(W) 营销方式 厂家直销 产品性质 热销
品牌/商标 英飞凌INFINEON 型号/规格 SPW35N60C3 TO-247 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-FBM/全桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 低频跨导 50(μS) 极间电容 4500(pF) 耗散功率 0.313(mW) CoolMOSTM Power TransistorFeatures• New revolutionary high voltage technology• Ultra low gate charge• Periodic avalanche rated• Extreme dv /dt rated• Ultra low effective capacitances• Improved transconductance