品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFB4310PBF |
批号 | 2010+ | 封装 | TO-220AB |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 新品 |
处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
导电类型 | 单极型 | 集成程度 | 中规模 |
规格尺寸 | 3.9(mm) | 工作温度 | -40~125(℃) |
静态功耗 | 3520(mW) | 类型 | 稳压IC |
IRFB4310PbF, IRFS(L)4310PbF |
TO-220AB Pkg |
IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 1 IR(F,L,FZ,LZ,FB) Series Side 2 |
50 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
7 毫欧 @ 75A, 10V |
100V |
4V @ 250µA |
250nC @ 10V |
130A |
7670pF @ 50V |
300W |
通孔 |
TO-220-3 (直引线) |
品牌/商标 TOSHIBA 型号/规格 2SC5200-O 批号 2010+ 封装 TO-3P 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 数字信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 大规模 规格尺寸 3.6(mm) 工作温度 -40~125(℃) 静态功耗 1250(mW) 类型 其他IC
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRFB3507PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 250(V) 夹断电压 120(V) 低频跨导 14(μS) 极间电容 52(pF) 低频噪声系数 52(dB) 漏极电流 1200(mA) 耗散功率 2560(mW)