FQP85N06二极管
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌/商标： | FAIRCHILD | |
| 型号/规格： | FQP85N06 | |
| 封装形式： | TO220 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQP85N06 |
| 封装形式 | TO220 | 装配方式 | TO220 |
| 封装材料 | 金属封装 | 产品类型 | 肖特基管 |
FSC专卖,现货
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
| |||
|
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 杨宝林
- 电话：755-88250321
- 传真：755-88250321
- 手机：
- QQ ：
FQPF18N50V2肖特基二极管
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF18N50V2 封装形式 TO220F 装配方式 TO220F 封装材料 塑料封装 产品类型 肖特基管 FSC专卖,现货Manufacturer:Fairchild SemiconductorProduct Category:MOSFETsRoHS:dzsc/18/7149/18714934.gif DetailsProduct:General Purpose MOSFETsConfiguration:SinglePackage / Case:TO-220FTransistor Polarity:N-ChannelDrain-Source Breakdown Voltage:500 VContinuous Drain Current:18 APower Dissipation:69000 mWForward Transconductance gFS (Max / Min):16 SResistance Drain-Source RDS (on):0.265 Ohm @ 10 VTypical Fall Time:110 nsTypical Rise Time:150 nsTypical Turn-Off Delay Time:95 nsPackaging:TubeGate-Source Breakdown Voltage:+ /- 30 VMaximum Operating Temperature:150 CMinimum Operating Temperature:- 55 CType:MOSFET
现货热销仙童KSD1691YS结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 KSD1691YS 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） FSC 仙童代理Manufacturer:Fairchild Semiconductor Product Category:Bipolar Transistors RoHS:dzsc/18/7152/18715282.gif Details Product:Bipolar Small Signal & Power Transistor Pol...
