价 格: | 面议 | |
品牌/商标: | ZETEX | |
型号/规格: | ZXTP25020DFHTA | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | 超高频 | |
极性: | PNP型 | |
封装形式: | SOT23 |
品牌/商标 | ZETEX | 型号/规格 | ZXTP25020DFHTA |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 极性 | PNP型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | SOT23 | 封装材料 | 塑料封装 |
截止频率fT | 290(MHz) | 集电极允许电流ICM | 4(A) |
集电极耗散功率PCM | 1.25(W) | 营销方式 | 代理 |
产品性质 | 热销 |
ZXTP25020DFH |
SOT-23 Pkg SOT-23-3 PKG |
SOT-23 Package SOT-23 Top |
3,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
PNP |
4A |
20V |
180mV @ 400mA, 4A |
- |
300 @ 10mA, 2V |
1.25W |
290MHz |
表面贴装 |
SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
带卷 (TR) |
* |
1422 (CN2010-11 Interactive) 1422 (CN2010-11 PDF) |
ZXTP25020DFHTR |
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FDS4435 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 2(V) 低频跨导 25(μS) 极间电容 26(pF) 低频噪声系数 25(dB) 漏极电流 8.8A(mA) 耗散功率 3000(mW) 数据列表FDS4435BZ产品相片8-SOIC Pkg产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列PowerTrench®FET 型MOSFET P 通道,...
品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRF7465TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 150(V) 夹断电压 2.3(V) 低频跨导 22(μS) 极间电容 22(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 1.9A(mA) 耗散功率 3000(mW) 数据列表IRF7465PbF产品相片8-SOIC Pkg产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装4,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物...