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锂电池保护IC DW01+ 8205S

价 格: 面议
品牌/商标:原装富晶
型号/规格:DW01+ 8205S

品牌/商标 原装富晶 型号/规格 DW01+ 8205S
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 S/开关
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 12(V) 夹断电压 20(V)
漏极电流 6000(mA)

dzsc/18/7144/18714494.jpg



深圳市阔元电子有限公司

20V N-Channel Enhancement-Mode MOSFET   20V N-沟道增强型 MOS
 
VDS= 20V
RDS(ON),Vgs@2.5V,Ids@4.5A= 38mΩ
RDS(ON),Vgs@4.5V,Ids@5A= 28mΩ

深圳市福田区华强北中航路佳和华强大厦五数5C066室
翁苏铃  QQ   991882375   电话  0755-82539398  手机    13760455447
主营小功效场效应管(台湾原装进口品牌):
2300,2301,2302,2305,2312,3400,3401,3407,
4410,4430,4435,4501,4503,4946,4953,
DW01+,8205A,8205S,8810,8822,9435,9926A,
KP1500-ADJ,KP1504-ADJ,KP1510-ADJ,KP1512-ADJ

型号繁多,未能尽录
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http://www.xr-ic.com

翁苏铃
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信息内容:

品牌/商标 VISHAY 型号/规格 2301 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 8(V) 夹断电压 20(V) 漏极电流 2200(mA) dzsc/18/7145/18714528.jpg深圳市阔元电子有限公司20V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET 20V P 沟道增强型 MOS 管 VDS= -20VRDS(ON),Vgs@-4.5V,Ids@-2.8A= 85mΩ RDS(ON),Vgs@-2.5V,Ids@-2.0A= 110mΩ深圳市福田区 华强北中航路佳和华强大厦五楼5C066室翁苏铃 QQ 991882375 电话 0755-82539398 手机 13760455447主营小功效场效应管(台湾原装进口品牌):2300,2301,2302,2305,2312,3400,3401,3407,4410,4430,443...

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