品牌/商标 | 英飞凌INFINEON | 型号/规格 | SPD07N60C3 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | D/变频换流 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 600(V) | 夹断电压 | 600(V) |
极间电容 | 16(pF) |
品牌/商标 英飞凌infineon 型号/规格 SPP11N80C3 SPA11N80C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 800(V) 夹断电压 800(V) 跨导 10(μS) 极间电容 1200(pF)
品牌/商标 ST 型号/规格 BTA40-600B 控制方式 双向 极数 多极 封装材料 金属封装 封装外形 螺旋形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 大功率 额定正向平均电流 40(A) 控制极触发电流 35(mA) 反向重复峰值电压 600(V)