品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IR2113STRPBF |
封装 | SOP16 | 批号 | 10+ |
类型 | 驱动IC |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB4321PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 150(V) 夹断电压 50(V) 极间电容 4460(pF) 漏极电流 85(mA) 耗散功率 350(mW)
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP10NK60ZFP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MAP/匹配对管 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 25(V) 极间电容 1370(pF) 漏极电流 10(mA) 耗散功率 35(mW) 数据列表STx10NK60Z产品相片TO-220AB产品目录绘图ST Series TO-220FP, TO-3PF标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C750 毫欧 @ 4.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)600V电流 - 连续漏极(Id) ...