标准包装 | 3,000 |
---|---|
类别 | 分离式半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | - |
FET 型 |
MOSFET P 通道,金属氧化物 |
FET 特点 |
二极管(隔离式) |
漏极至源极电压(Vdss) |
20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C |
1.6A |
开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C |
200 毫欧 @ 1.8A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)() |
500mV @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs |
4nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds |
- |
功率 - |
830mW |
安装类型 |
表面贴装 |
封装/外壳 |
6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
供应商设备封装 |
6-TSOP |
包装 |
带卷 (TR) |
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标准包装 750 类别 集成电路 (IC) 家庭 Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps 系列 - 放大器类型 J-FET 电路数 2 输出类型 满摆幅 转换速率 25 V/µs 增益带宽积 - -3db带宽 16MHz 电流 - 输入偏压 5pA 电压 - 输入偏移 700µV 电流 - 电源 7mA 电流 - 输出 / 通道 17mA 电压 - 电源,单路/双路(±) 3 V ~ 36 V,±1.5 V ~ 18 V 工作温度 -40°C ~ 85°C 安装类型 表...
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