品牌/商标 | VISHAY | 型号/规格 | SI2301BDS-T1 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | UNI/一般用途 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | 220(V) | 夹断电压 | 270(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 2(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
中文描述:P通道的2.5 V(GS)的MOSFET的
英文描述:P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
公司:楚望科技(香港)有限公司
电话:0755-29471231
QQ: 625635549
MSN:chuwang001@hotmail.com
品牌/商标ON型号/规格MC78M05CDT批号2010+封装TO-252营销方式库存产品性质热销处理信号数模混合信号制作工艺半导体集成导电类型双极型集成程度大规模规格尺寸12(mm) 工作温度-40~85(℃) 静态功耗0.03(mW) 类型稳压IC 中文描述:三端0.5A的正电压稳压器英文描述:3-Terminal 0.5A Positive Voltage Regulator 公司:楚望科技(香港)有限公司电话:0755-29471231QQ: 625635549MSN:chuwang001@hotmail.com"
品牌/商标FAIRCHILD型号/规格FQD10N20C种类结型(JFET)沟道类型N沟道导电方式增强型用途UNI/一般用途封装外形SMD(SO)/表面封装材料GE-N-FET锗N沟道开启电压220(V) 夹断电压270(V) 低频跨导12(μS) 极间电容3(pF) 低频噪声系数2(dB) 漏极电流14(mA) 耗散功率1(mW) 中文描述:200伏N沟道MOSFET英文描述:200V N-Channel MOSFET公司:楚望科技(香港)有限公司电话:0755-29471231QQ: 625635549MSN:chuwang001@hotmail.com"