瞬变抑制二极管1.5KE22A 支持混批
| 价 格： | 0.30 | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 型号/规格： | 1.5KE22A | |
| 封装形式： | 直插型 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | 超高频 |
| 产品类型 | 瞬变抑制二极管 | 品牌/商标 | VISHAY |
| 型号/规格 | 1.5KE22A | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 大功率 |
| 频率特性 | 超高频 | 发光颜色 | 紫外 |
| LED封装 | 无色散射(W) | 出光面特征 | 侧向管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 100（V） |
| 正向直流电流IF | 100（mA） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应三极管2SK2793
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK2793 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 0.7（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
场效应三极管2SK1155
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 2SK1155 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 0.7（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
