价 格: | 1.00 | |
品牌: | FUJI | |
型号: | 2SK2691 |
品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SK2691 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRL540NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):0.077 Ohms 汲极/源极击穿电压:100 V闸/源击穿电压:+/- 10 V 漏极连续电流:28 A功率耗散:3.7 W 工作温度:+ 175 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:D2PAK封装:Tube 最小工作温度:- 55 C
品牌/商标 TI/NXP 型号/规格 74HC164 封装 DIP/SOP 批号 11+ 类型 其他IC 现货批发国产IC,欢迎查询订购计数顺序:Serial to Parallel 电路数量:1封装 / 箱体:SOT-108 逻辑系列:74HC逻辑类型:CMOS 输入线路数量:0传播延迟时间:170 ns, 34 ns, 29 ns 电源电压(值):6 V工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 40 C封装:Reel 功能:Shift Register