场效应管2SK1985
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | 富士通 | |
| 型号： | 2SK1985 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK1985 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 低频跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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场效应管2SK1822
信息内容：品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK1822 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
三极管2SK2889
信息内容：品牌/商标 东芝 型号/规格 2SK2889 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-HBM/半桥组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列场效应管2SK2141NEC 2SK2147FUJI 2SK2148FUJI 2SK216HIT 2SK2160SNAYO 2SK2161HIT 2SK2176ROHM 2SK2180TOSHIBA 2SK2182TOSHIBA 2SK2183TOSHIBA 2SK2185富士通 2SK2186TOSHIBA 2SK2188SHI...
