ST系列大电流场效应(图)
| 价 格： | 面议 | |
| 品牌： | SGS法意电子 | |
| 型号： | STP75NF75 |
| 品牌/商标 | SGS法意电子 | 型号/规格 | STP75NF75 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HG/高跨导 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
- 所属城市：广东 汕头
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大电流MOS管IRF3205 IRF3710
信息内容：品牌/商标 INR美德国际整流器件 型号/规格 IRF3205、IRF3710、IRF2807 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HG/高跨导 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 60（V） 耗散功率 1000（mW） 供应大电流MOS管IRF3205、IRF3710、IRF2807、IRF1010E、IRF2907、IRF3707、IRFB4710、SUP85N10、FDP2532、FDP3632本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量保证,货源充足汕头市锦煜电子有限公司—成立于1997年4月,位于汕头经济特区潮南陈店镇,地处国道324线与中国规模的电子元器件拆解基地(贵屿镇)交界，目前已成为潮汕地区的拆机和原装电子元件供应商之一。 主营：美国、日本、欧洲及世界各名...
东芝大功率IGBT管(图)
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT60M301 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HI-REL/高可靠性 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 IGBT绝缘栅比极 GT60M301 900V 60A 200W N CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER SWITHCING APPLICATIONS) - Toshiba Semiconductor 本公司长期备有大量现货,价格优惠,拆机件质量保证,货源充足 汕头市锦煜电子有限公司—成立于1997年4月,位于汕头经济特区潮南陈店镇,地处国道324线与中国规模的电子元器件拆解基地(贵屿镇)交界，目前已成为潮汕地区的拆机和原装电子元件供应商之一。 主营：美国、日本、欧洲及世界各名厂IR,ST,MOT,NEC,仙童,富士通,东芝,哈里斯,国半,三星,飞利浦,三菱.、英飞凌、富士通、日立等生产的各类IC集成,光电耦合和场效应管,达林顿,快速整流,肖特基,高压管,可控硅,三端稳压，普通三极管等系列。 供应电子...
