品牌/商标 | UTC台湾友顺 | 型号/规格 | 4N60L |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
开启电压 | 600V/4A(V) | 夹断电压 | TO-252(V) |
跨导 | TO-220(μS) | 极间电容 | .(pF) |
低频噪声系数 | .(dB) | 漏极电流 | .(mA) |
耗散功率 | .(mW) |
品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2645-01MR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 600(V) 夹断电压 to-220f(V) 跨导 9A(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW) 全新原装现货160K优势供应! 长期有效次信息!!!!!...........................................................
品牌/商标 FUJI 型号/规格 1MBH60-100 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 .(V) 夹断电压 .(V) 跨导 .(μS) 极间电容 .(pF) 低频噪声系数 .(dB) 漏极电流 .(mA) 耗散功率 .(mW)