| 类型 | 稳压IC | 品牌/商标 | ON |
| 型号/规格 | MUR1620CTRG | 封装 | TO-220AB |
| 批号 | 10+ |
| MUR(B)1620CTR |
| 488-TO-220AB |
| TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| 二极管,整流器 - 阵列 |
| SWITCHMODE™ |
| 1.2V @ 8A |
| 5µA @ 200V |
| 8A |
| 200V |
| 85ns |
| 标准 |
| 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io) |
| 1 对共阳极 |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管件 |
| TO-220AB |
品牌/商标 VISHAY 型号/规格 IRF9640PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 200(V) 极间电容 1200(pF) 漏极电流 11000(mA) 耗散功率 125W(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP460PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 4200(pF) 漏极电流 20000(mA) 耗散功率 280000(mW) 标准包装500类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 12A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C20AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg...