品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | IRFP450 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MOS-HBM/半桥组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | A(V) | 夹断电压 | A(V) |
低频跨导 | A(μS) | 极间电容 | A(pF) |
低频噪声系数 | A(dB) | 漏极电流 | A(mA) |
耗散功率 | A(mW) |
品牌/商标 进口 型号/规格 IRFR120N 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 SIT静电感应 开启电压 A(V) 夹断电压 A(V) 极间电容 A(pF) 低频噪声系数 A(dB) 漏极电流 A(mA) 耗散功率 A(mW)
品牌/商标 进口 型号/规格 D2012 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 A(V) 夹断电压 A(V) 极间电容 A(pF) 低频噪声系数 A(dB) 漏极电流 A(mA) 耗散功率 A(mW)