品牌/商标 | Wisdom | 型号/规格 | WFF12N65 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0.1(V) | 夹断电压 | 0.1(V) |
低频跨导 | 0.1(μS) | 极间电容 | 0.1(pF) |
低频噪声系数 | 0.1(dB) | 漏极电流 | 0.1(mA) |
耗散功率 | 0.1(mW) |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
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WFF12N65 TO-220F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。
∗ 12A,650V,RDS(on)=0.8Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
品牌/商标 Wisdom 型号/规格 WFP13N50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1(V) 夹断电压 0.1(V) 低频跨导 0.1(μS) 极间电容 0.1(pF) 低频噪声系数 0.1(dB) 漏极电流 0.1(mA) 耗散功率 0.1(mW)
品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX12N60C(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1(V) 夹断电压 0.1(V) 低频跨导 0.1(μS) 极间电容 0.1(pF) 低频噪声系数 0.1(dB) 漏极电流 0.1(mA) 耗散功率 0.1(mW)