70A 60V场效应管70N06
| 价 格： | 1.50 | |
| 品牌： | RFP70N06 | |
| 型号： | 70N06 |
| 品牌/商标 | RFP70N06 | 型号/规格 | 70N06 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 6（V） | 夹断电压 | 60（V） |
| 低频跨导 | 223（μS） | 极间电容 | 23（pF） |
| 低频噪声系数 | 3（dB） | 漏极电流 | 70（mA） |
| 耗散功率 | 200（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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9A 600V场效应MOS管STP9NK60
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STP9NK60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 4（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 20（μS） 极间电容 2000（pF） 漏极电流 9A（mA） 本商行同时供应以下MOS管2N60-20N60IRFBC20-IRFBC40K1117-K1119K2333K2543-K2545K3115K3562K1507,K2645,K2771,K2843,K2996,K3265,K3569
现货供应4A 600V场效应MOS管4N60
信息内容：品牌/商标 仙童，三星，ST，英飞凌，其他厂家 型号/规格 4N60 金属封装 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 34（μS） 极间电容 2000（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 4A（mA） 耗散功率 100W（mW） TO-220封装 高压场效应系列1N60-20N602N80-17N802N90-7N903N100，4N100，5N1004N40-17N403N50-20N50K1117-K1119，K2141，K2333，K2543-K2545，K264...
