供应75V,80A 0.009欧 MOS场效应管K80E08K3
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK80E08K3,K80E08K3 | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 散装 | |
| 功率特征： | |
供应75V,80A 0.009欧 MOS场效应管TK80E08K3
| 描 述 ： |
MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 |
| 标准包装 ： | 50 |
| 系列 ： | STripFET™ |
| FET 型 ： |
MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 ： | 标准型 |
| 开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 11 毫欧 @ 40A, 10V |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： |
75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： |
80A |
| Id 时的 Vgs(th)（） ： |
4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： |
160nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： |
3700pF @ 25V |
| 功率 - ： | 300W |
| 安装类型 ： | 通孔 |
| 封装/外壳 ： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装 ： | TO-220AB |
| 包装 ： | 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 陈树辉
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供应100V,4A NPN双极功率晶体管MJD243T4G
信息内容：MJD243:双极晶体管> 音频晶体管 > MJD243 4.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor 描述 ： TRANS PWR NPN 4A 100V DPAK 标准包装 ： 10 系列 ： - 晶体管类型 ： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（） ： 4A 电压 - 集电极发射极击穿（） ： 100V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） ： 600mV @ 100mA, 1A 电流 - 集电极截止（） ： - 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： 40 @ 200mA, 1V 功率 - ： 1.4W 频率 - 转换 ： 40MHz 安装类型 ： 表面贴装 封装/外壳 ： TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 ...
供应100V,4A PNP双极功率晶体管MJD253T4G
信息内容：双极晶体管> 音频晶体管 > MJD253 MJD253: 4.0 A, 100 V PNP Bipolar Power Transistor 描述 ： TRANS PWR PNP 4A 100V DPAK 标准包装 ： 10 系列 ： - 晶体管类型 ： PNP 电流 - 集电极 (Ic)（） ： 4A 电压 - 集电极发射极击穿（） ： 100V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（） ： 600mV @ 100mA, 1A 电流 - 集电极截止（） ： - 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) ： 40 @ 200mA, 1V 功率 - ： 1.4W 频率 - 转换 ： 40MHz 安装类型 ： 表面贴装 封装/外壳 ： TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63...
