场效应管(NMOS)Si2306DS
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | Si2306DS | |
| 品牌/商标： | VISHAY | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特征： | 小功率 |
规格：输入电压= 30V；
输出电流 = 3500；
功率：1.25W；
RDS(ON)=57mΩ(typ.) @ VGS=10V；
VGSS=±20；
VGS(th) =1V(min)；
用途： 笔记本电源管理，便携式设备，电池电源系统，DC/DC转换，负载开关，LCD显示适配器
Si2306DS：采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管(PMOS)Si2301DS
信息内容：规格：输入电压= - 20V； 输出电流 = - 2300mA； 功率：1.25W； RDS(ON)=130mΩ(max) @ VGS=-4.5V； VGSS=±8； VGS(th) =-0.45V(min)； 用途： 笔记本电源管理，便携式设备，电池电源系统，DC/DC转换，负载开关，LCD显示适配器 Si2301DS：采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
场效应管(NMOS)Si2302ADS
信息内容：规格：输入电压 = 20V； 输出电流 = 2100mA； 功率：0.7W； RDS(ON)=60mΩ(typ.) @ VGS=4.5V； VGSS=±8； VGS(th) =0.65V(min)； 用途： 笔记本电源管理，便携式设备，电池电源系统，DC/DC转换，负载开关，LCD显示适配器 Si2302ADS：采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。它适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。
