特价供应三极管MMBT5551LT1G
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMBT5551LT1G | |
| 品牌/商标： | 长电 | |
| 封装形式： | SOT23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
本公司经营代理各国IC及二三极管.创业多年来,始终秉承"现货库存,优势价格,客户,合作"双赢"的经营宗旨,货源充足真实,同时和美欧、日韩及东南亚等生产厂商建立了良好的合作关系.可为电子消费产品厂家,方案设计公司免费提供技术原理,PDF 软件. 主营家电IC、无线音频功放、LED驱动、电源管理IC、LDO电源IC,升压IC,降压IC、锂电池充电IC、汽车音响IC,三极管,wi-fi无线音视频传输，CMOS图像传输,微波传输，华为3G模块，无叶风扇解决方案，红外安防监控，行车记录仪，车载DVD.为客户提供优惠的价格,健全的质量保证和完善的管理服务,深受客户的信赖和支持,并歇诚为商家提供手货源和全面的配套服务.
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- 所属城市：广东 深圳
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供应MOS管 IRU3034CSTR
信息内容：功率MOSFET的基本特性 1、静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性MOSFET其测试电路和开关过程。 开通过程；开通延迟时间td（on） -Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；上升时间tr- UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。开通时间ton-开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间td（off） -Up下降到零起，Cin通过RS和RG放电，UGS按...
供应场效应管 GE9926
信息内容：功率MOSFET的基本特性 1、静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。 漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs MOSFET的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 2、动态特性MOSFET其测试电路和开关过程。 开通过程；开通延迟时间td（on） -Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；上升时间tr- UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。开通时间ton-开通延迟时间与上升时间之和。 关断延迟时间td（off） -Up下降到零起，Cin通过RS和RG放电，UGS按...
