供应KEC品牌场效应管KIA7025AF SOT-89
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | KIA7025AF | |
| 品牌/商标： | KEC | |
| 封装形式： | SOT-89 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 盒带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
深圳市伟鑫电子有限公司
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一、场效应管知识_结型场效应管
（一） JFET的结构和特点
什么是场效应管1、结型场效应管的结构
场效应管的结构如图6.18，它是在一块N型半导体的两边杂质扩散出高浓度的P型，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也电子）导电。从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。
什么是场效应管2、结型场效应管的特点
① vGS＜0，Ri很高；
② 电压控制器件；
③ 单极性器件；
什么是场效应管3、N沟道结型场效应管JFET的输出特性
在vGS=0时，沟道电阻最小，ID达到。
当vGS＜0时，耗尽层变大，沟道电阻变大，相应的ID下降。形成图6.19的特性曲线。
什么是场效应管4、结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压控制器件：
通过VGS控制iD。从输出特性看，各条不同输出特性曲线的参变量是VGS。在恒流区，iD与VDS基本无关。并通过跨导gm=△iD/△VGS|VDS描述场效应管的放大作用。而晶体管是通过iB控制iC。参变量是iB。放大区，iC与VCE基本无关。通过电流放大系数β=△iC/△iB描述放大作用。
(2)iG=0。，直流、交流Ri都很高。而晶体管b极和e极处于正偏，b～e间Ri较小：几千欧。
(3)场效应管的是一种极性的多子导电（单极型器件），具有噪声小，受外界T及辐射的影响小等特点（温度稳定性好）。
(4)场效应管对称，有时D--S极可互换使用。各项性能基本不受影响。应用时较方便、灵活。但若制造时已将S和衬底连在一起，则D--S不能互换。
(5)场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成，且所占面积小，集成度高。
(6)MOS场效应管Ri高，G极的感应电荷不易泄放。 SiO2层薄，G极与衬底间等效电容很小，感应电荷少量形成高电压，将SiO2击穿而损坏管。存放管子时，应将G--S短接，避免G极悬空。焊接时，烙铁外壳应接地，防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的应用
场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变化△VGS时，D极电流相应变化△iD。若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，比△VGS大倍，即△VGS得到了放大。场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。
二、场效应管知识_MOS型场效应管
JFET的输入电阻可达107欧姆，但就本质而言，这是PN结的反向电阻，而反向偏置时总有反向电流存在，这就限制了在某些工作条件下对阻值的更高。，从制造工艺看，把它高度集成化还比较。
绝缘栅型场效应管由金属 - 氧化物 -半导体场效应管制成，称为Metal-Oxide-Semiconductor，简称为MOSFET，这种场效应管的栅极被绝缘层（例如SiO2）隔离，Ri更高，可达109 欧姆。
MOS管与JFET的不同之处的导电机构和电流控制原理不同。JFET耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制ID，OSFET则是半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流。
MOS管分为N沟道和P沟道两类, 每一类又分为增强型和耗尽型：
增强型：当VGS=0,无导电沟道,ID＝0
耗尽型：当VGS=0,有导电沟道,ID≠0
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供应柜台现货二极管三极管裕邦原装YB1200SC70S-2.8G
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供应贴片钽电解电容AVX KEMET TAJA475K016RNJ 4.7UF
信息内容：钽电容的主要是清除由芯片自身产生的各种高频信号对其他芯片的串扰，从而让各个芯片模块能够不受干扰的正常工作。在高频电子振荡线路中，贴片式电容与晶体振荡器等元件一起组成振荡电路，给各种电路提供所需的时钟频率.贴片式钽电容的特点是寿命长耐高温、准确度高、滤高频改波性能极好适用于计算机的主机，硬盘驱动器，软盘驱动器，解码器，插入式卡片，大容量存储器等。 通讯方面的手机，程控机，各种交换机，传呼机，无绳电话等； 汽车方面的发动机控制，燃料控制，尾气排放等， 家电方面的电视机，录音机，音响系统，随身听等； 办公用品方面的复印件，传真机，扫描仪等 钽电容的性能优异，是电容器中体积小而又能达到较大电容量的产品，在电源滤波、交流旁路等用途上少有竞争对手。 钽电解电容器具有储藏电量、进行充放电等性能，主要应用于滤波、能量贮存与转换，记号旁路，耦合与退耦以及作时间常数元件等。在应用中要注意其性能特点，正确使用会有助于充分发挥其功能，其中诸如考虑产品工作环境及其发热温度，以及采取降额使用等措施，如果使用不当会影响产品的工作寿命。 固体钽电容器电性能优良，工作温度范围宽，...
