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一、场效应管知识_结型场效应管
（一） JFET的结构和特点
什么是场效应管1、结型场效应管的结构


场效应管的结构如图6.18，它是在一块N型半导体的两边杂质扩散出高浓度的P型，用P+表示，形成两个P+N结。N型半导体的两端引出两个电极，分别称为漏极D和源极S。把两边的P区引出电极并连在一起称为栅极G。在漏、源极间加上正向电压，N区中的多子（也电子）导电。从源极S出发，流向漏极D。电流方向由D指向S，称为漏极电流ID.。导电沟道是N型的，故称为N沟道结型场效应管。

什么是场效应管2、结型场效应管的特点
① vGS＜0，Ri很高；
② 电压控制器件；
③ 单极性器件；

什么是场效应管3、N沟道结型场效应管JFET的输出特性

在vGS=0时，沟道电阻最小，ID达到。

当vGS＜0时，耗尽层变大，沟道电阻变大，相应的ID下降。形成图6.19的特性曲线。

什么是场效应管4、结型场效应管的JFET与BJT的特点比较
(1) 场效应管是电压控制器件：
通过VGS控制iD。从输出特性看，各条不同输出特性曲线的参变量是VGS。在恒流区，iD与VDS基本无关。并通过跨导gm=△iD/△VGS|VDS描述场效应管的放大作用。而晶体管是通过iB控制iC。参变量是iB。放大区，iC与VCE基本无关。通过电流放大系数β=△iC/△iB描述放大作用。
(2)iG=0。，直流、交流Ri都很高。而晶体管b极和e极处于正偏，b～e间Ri较小：几千欧。
(3)场效应管的是一种极性的多子导电（单极型器件），具有噪声小，受外界T及辐射的影响小等特点（温度稳定性好）。
(4)场效应管对称，有时D--S极可互换使用。各项性能基本不受影响。应用时较方便、灵活。但若制造时已将S和衬底连在一起，则D--S不能互换。
(5)场效应管的制造工艺简单，有利于大规模集成，且所占面积小，集成度高。
(6)MOS场效应管Ri高，G极的感应电荷不易泄放。 SiO2层薄，G极与衬底间等效电容很小，感应电荷少量形成高电压，将SiO2击穿而损坏管。存放管子时，应将G--S短接，避免G极悬空。焊接时，烙铁外壳应接地，防止因烙铁漏电而击穿管子。
(7)场效应管的应用
场效应管在恒流区内工作时，当GS电压变化△VGS时，D极电流相应变化△iD。若将△iD通过较大的RL，从RL上取出的△V0=△iDRL，比△VGS大倍，即△VGS得到了放大。场效应管和晶体管一样在电路中可起放大的作用。


二、场效应管知识_MOS型场效应管

JFET的输入电阻可达107欧姆，但就本质而言，这是PN结的反向电阻，而反向偏置时总有反向电流存在，这就限制了在某些工作条件下对阻值的更高。，从制造工艺看，把它高度集成化还比较。

绝缘栅型场效应管由金属 - 氧化物 -半导体场效应管制成，称为Metal-Oxide-Semiconductor，简称为MOSFET，这种场效应管的栅极被绝缘层（例如SiO2）隔离，Ri更高，可达109 欧姆。

MOS管与JFET的不同之处的导电机构和电流控制原理不同。JFET耗尽层的宽度改变导电沟道的宽度来控制ID，OSFET则是半导体表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制电流。

MOS管分为N沟道和P沟道两类, 每一类又分为增强型和耗尽型：
增强型：当VGS=0,无导电沟道,ID＝0
耗尽型：当VGS=0,有导电沟道,ID≠0

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