价 格: | 面议 | |
型号/规格: | 13001 | |
品牌/商标: | TL | |
封装形式: | TO-92 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
3DD13001是硅NPN型小功率开关三极管,主要用于节能灯电子镇流器、手机充电器等开关电源电路。3DD13001具有击穿电压高、反向漏电流小、开关速度快、饱和压降低、高温性能好等特点,质量保证,价格优惠.
8550三极管种类及参数 集电极-基极电压Vcbo:-40V 工作温度:-55℃ to +150℃ 和8050(NPN)相对 主要用途: 开关应用 射频放大 8550三级管参数:类型:开关型; 极性:PNP; 材料:硅; 集电极电流(A):0.5 A; 直流电增益:10 to 60; 功耗:625 mW; 集电极发射电压(VCEO):25; 频率:150MHz PE8550 硅 NPN 30V 1.5A 1.1W 3DG8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 2SC8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K MC8550 硅 NPN 25V 700mA 200mW 150MHz CS8550 硅 NPN 25V 1.5A FT=190 *K 8050S 8550S S8050 S8550 参数: 耗散功率0.625W(贴片:0.3W) 集电极电流0.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V 特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出 按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档 放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350 C8050 C8550 参数: 耗散功率1W 集电极电流1.5A 集电极--基极电压40V 集电极--发射极击穿电压25V ...
极限值(Ta=25℃)(封装形式:TO-92) Tstg——贮存温度⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯ -55~150℃ Tj——结温⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯150℃ PC——集电极耗散功率⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯1W VCBO——集电极—基极电压⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯40V VCEO——集电极—发射极电压⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯25V VEBO——发射极—基极电压⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯6V IC——集电极电流⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯⋯1.2A 电参数(Ta=25℃)(封装形式:TO-92) dzsc/18/6759/18675972.jpg