价 格: | 面议 | |
型号/规格: | IRF730,MOS,220,400V,5.5A | |
品牌/商标: | FAIRCHILD(飞兆) | |
封装形式: | TO-220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 1000/盒 | |
功率特征: | |
产品型号:IRF730
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1
漏极电流Id(on)(A):5.5
功率PD(W):74
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150
描述:400V,5.5A 功率MOSFET
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3、Q Q:4006262666
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产品型号:IRF720 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1 漏极电流Id(on)(A):3.3 功率PD(W):50 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:400V,3.3A 功率MOSFET 产品型号:IRF740 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.55 漏极电流Id(on)(A):10 功率PD(W):125 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:400V,10A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
产品型号:FQPF4N20 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):200 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.4 漏极电流Id(on)(A):2.8 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:200V,2.8A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)