供应 场效应管 TK11A50D,TK11A50,K11A50D
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | TK11A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,11A,0.6Ω | |
| 品牌/商标： | TOSHIBA（东芝） | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 2500/盒 | |
| 功率特征： | |
产品型号:TK11A50D
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.6
漏极电流Id(on)(A):11
功率PD(W):45
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150
描述:500V,11A 功率MOSFET
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3、Q Q:4006262666
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供应 场效应管 TK10A50D,TK10A50,K10A50D
信息内容：产品型号:TK10A50D 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.72 漏极电流Id(on)(A):10 功率PD(W):45 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150 描述:500V,10A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 FQPF8N60,FQPF8N60CF,FQPF8N60C
信息内容：产品型号:FQPF8N60C 源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):1.2 漏极电流Id(on)(A):7.5 功率PD(W):147 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150 描述:600V,7.5A 功率MOSFET 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q:4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
