功率MOSFET N沟道 500W VHF 双管推挽式
晶体管类型: RF MOSFET
电压, Vds : 125V
电流, Id 连续: 18A
功耗, Pd: 500W
工作频率范围: 400MHz 到 520MHz
封装类型: SOT-262A1
针脚数: 5
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011)
功率, Pd: 500W
功耗: 500W
在电阻RDS(上): 200mohm
存储温度, : -65°C
存储温度, : 150°C
封装类型: SOT-262A1
封装类型: SOT-262A1
晶体管极性: ñ频道
功耗: 500W
漏极电流, Id 值: 18A
电压 @ Rds测量: 10V
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds: 125V
电压, Vgs : 20V
结温, Tj : 200°C
阈值电压, Vgs th : 2V
阈值电压, Vgs th : 4.5V
继电器 PCB 4PCO 24VDC 线圈类型: 直流 接点配置: 4PCO 联系我们当前: 2A 接触电压交流喃: 220V 接触电压直流喃: 220V 线圈电压 直流 标称值: 24V 线圈电阻: 1.2kohm 线圈连续功率: 480mW 继电器安装: 电路板 外部高度: 29.6mm 外���: 24.2mm 外部深度: 10.8mm SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) Contact Configuration: 4PCO 切换电流, : 2A 动作时间: 10ms 喃操作电源: 480mW 外部长度/高度: 29.6mm 安装类型: 电路板 工作温度敏: -40°C 工作温度: 65°C 开关电流: 2A 批准机构: ...
产品的技术参数; 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 20W 500MHz DP 制造商: SEMELAB 库存编号: 1856786晶体管类型: RF FET 电压, Vds : 70V 电流, Id 连续: 5A 功耗, Pd: 50W 工作频率范围: 10MHz 到 500MHz 封装类型: DP 针脚数: 3 SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2011) 功耗: 50W FEATURES SIMPLIFIED AMPLIFIER DESIGN SUITABLE FOR BROAD BAND APPLICATIONS LOW Crss USEFUL PO AT 1GHz LOW NOISE HIGH GAIN 13 dB MINIMUM Semelab Ltd reserves the right to change test conditions, parameter limits and package dimensions without notice...