供应宏发JZC49F-024-1H1T(555)大功率继电器
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | HF49F-024-1H1T(555),HF49F/024-1H1T(555),JZC49F-024-1H1T(555),JZC49F/024-1H1T | |
| 品牌/商标： | HONGFA（宏发） |
概述：
额定线圈功率:标准型120-180mW，电流：5A 脚位：4脚 一组常开型
特性：
●5A触点切换能力
●触点和线圈间介质电压2kV
●超薄、超小型
(宽仅5mm，高仅12.5mm)
●高灵敏度，功耗仅为0.12W
●配有多种插座可供选择
●环保产品(符合RoHS)
●外形尺寸:(20.2x5.0x12.5)mm
触点参数：
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线圈参数：
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性能参数：
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型号说明：
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结构参数：
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- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
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供应100V,1A,N-CH MOSFET管2SK2963,印记:ZB
信息内容：2SK2963 MOSFET N-CH 100V 1A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2-π-MOS V) 2SK2963 DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications • 4-V gate drive • Low drain-source ON-resistance: RDS (ON) = 0.5 Ω (typ.) • High forward transfer admittance: |Yfs| = 1.2 S (typ.) • Low leakage current: IDSS = 100 μA (max) (VDS = 100 V) • Enhancement mode: Vth = 0.8 to 2.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) 參數 說明 Description 功率場效應電晶體（矽控N溝道MOS型） Pins/Package PW-MINI Pd(max.) 0.5w Id(max.) 3A Vds(max.) 100V Vgs ±20V N/P Ch. N Rds(on)(max.) Ω ...
供应TLP351东芝光耦,空调器IGBT/Power MOS逆变FET栅极驱动工业变频器
信息内容：属性 值 条件 型号 TLP351 特征 低功率IGBT/MOSFET直接驱动, 高速, 低功耗 封装：外形形状 DIP8/SMD8 管脚数 8 表面安装型 Y or N 表面贴装区分注意事项 可以对应表面贴装等引线型 响应速度(NRZ) (标准) 0.2μs 变换效率 ±0.6A峰值 (max) 绝缘耐压BVS @1minute (最小) 3750 Vrms 安全标准UL 已认证 安全标准TÜV - 安全标准VDE EN60747-5-2 已认证 安全标准BSI - 安全标准IEC - ...
