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供应2N7000场效应管

价 格: 0.10
型号/规格:2N7000
品牌/商标:FAIRCHILD/仙童
封装形式:P-DIT/塑料双列直插
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:散装
功率特征:

品牌:FAIRCHILD/仙童 型号:2N7000 种类:绝缘栅(MOSFET)
沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大
封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:60(V)
夹断电压:60(V) 跨导:9(μS) 极间电容:4(pF)
低频噪声系数:7(dB) 漏极电流:8(mA) 耗散功率:3(mW)
 

电话:13602373598    

公司网址:www.dgjinsilai.com

金思来电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 东莞
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 陈先生
  • 电话:0769-22361548/26878796
  • 传真:0769-22361586
  • 手机:13602373598
  • QQ :QQ:739136338QQ:2655598469
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信息内容:

品牌:IR美国国际整流器公司 型号:IRF840PBF 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500(V) 夹断电压:500(V) 跨导:6(μS) 极间电容:6(pF) 低频噪声系数:5(dB) 漏极电流:4(mA) 耗散功率:7(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com

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品牌:NIP日本日电 型号:2SJ128 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:P-FET硅P沟道 开启电压:100(V) 夹断电压:100(V) 跨导:3(μS) 极间电容:8(pF) 低频噪声系数:9(dB) 漏极电流:7(mA) 耗散功率:8(mW) 电话:13602373598 公司网址:www.dgjinsilai.com

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